1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Графический процессор
Тип памяти
DDR3
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Объем
Объем
1 модуль 4 ГБ
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Основные
Тактовая частота
1600 МГц
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.5 В
Низкопрофильная (low profile)
нет
Пропускная способность
12800 МБ/с
Отзывы
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов о данном товаре. Станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
