1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Графический процессор
Тип памяти
DDR4
Тайминги
CAS Latency (CL)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Row Precharge Delay (tRP)
17
Объем
Объем
1 модуль 8 ГБ
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
4
Основные
Тактовая частота
2400 МГц
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная (low profile)
нет
Пропускная способность
19200 МБ/с
Отзывы
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов о данном товаре. Станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
