сокет: LGA2011-3
10-ядерный процессор, 2200 МГц
техпроцесс 14 нм
тепловыделение 85 Вт
объем кэша L2/L3: 2.5 МБ/25 МБ
без интегрированного графического ядра
тип памяти: DDR4
ядро процессора: Broadwell-EP
10-ядерный процессор, 2200 МГц
техпроцесс 14 нм
тепловыделение 85 Вт
объем кэша L2/L3: 2.5 МБ/25 МБ
без интегрированного графического ядра
тип памяти: DDR4
ядро процессора: Broadwell-EP
Основные характеристики
Socket
LGA2011-3
Графический процессор
Тип памяти
DDR4
Оперативная память
Максимальный объем памяти
1536 ГБ
Ядро
Ядро
Broadwell-EP
Частотные характеристики
Коэффициент умножения
22
Встроенный контроллер памяти
есть, полоса 68.3 ГБ/с
Максимальное количество каналов памяти
4
Дополнительно
Типичное тепловыделение
85 Вт
Макс. кол-во каналов PCI Express
40
Поддержка Intel vPro
есть
Кэш
Объем кэша L2
2.5 МБ
Объем кэша L3
25 МБ
Основные
Тактовая частота
2200 МГц
Максимальная рабочая температура
74 °C
Количество ядер
10
Комплектация
OEM
Техпроцесс
14 нм
Отзывы
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов о данном товаре. Станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
